茂名HX6659霍尔开关 华芯霍尔元件厂家供应

霍尔开关器件

按照霍尔开关的感应方式可将它们分为：单极性霍尔开关、双极性霍尔开关、全极性霍尔开关。

单极性霍尔开关的感应方式：磁场的一个磁较靠近它，输出低电位电压（低电平）或关的信号，磁场磁较离开它输出高电位电压（高电平）或开的信号，但要注意的是，单极性霍尔开关它会*某磁较感应才有效，一般是正面感应磁场S较，反面感应N较。

双极性霍尔开关的感应方式：因为磁场有两个磁较N、S（正磁或负磁），茂名HX6659霍尔开关，所以两个磁较分别控制双极性霍尔开关的开和关（高低电平），它一般具有锁定的作用，也就是说当磁较离开后，霍尔输出信号不发生改变，直到另一个磁较感应。另外，双极性霍尔开关的初始状态是随机输出，有可能是高电平，也有可能是低电平。全极性霍尔开关的感应方式：全极性霍尔开关的感应方式与单极性霍尔开关的感应方式相似，区别在于，单极性霍尔开关会*磁较，而全极性霍尔开关不会*磁较，任何磁较靠近输出低电平信号，离开输出高电平信号。 我公司提供的霍尔产品，茂名HX6659霍尔开关，精度高、抗应力、耐氧化，茂名HX6659霍尔开关、寿命长，同时我们价格适中，性价比高。茂名HX6659霍尔开关

    如何判断线性霍尔开关是否损坏？改变磁场的大小线性霍尔开关的好坏当霍尔开关通电，输出端与电压表连接时，当磁铁从远到近接近线性霍尔开关时，线性霍尔开关的输出电压逐渐由小变大。这表明线性霍尔开关是好的。如果磁铁从远到近逐渐接近线性霍尔开关，则线性霍尔开关的输出电压保持不变，表明线性霍尔开关具有相同的输出电压。线性霍尔开关已损坏。线性霍尔开关恒流源电流的改变来判断线性霍尔开关的质量当线性霍尔开关恒流源的电流由零逐渐变为额定电流（不能**过线性霍尔开关的额定电流），线性霍尔开关的输出电压由小逐渐变大，说明线性霍尔开关性能良好。如果线性霍尔开关的恒流从零逐渐变为额定电流，则线性霍尔开关的电压保持不变，表明线性霍尔开关已损坏。 茂名HX6659霍尔开关霍尔元件新春大促中~华芯霍尔，长期与多加**企业合作。

8、霍尔不等位电势（又称霍尔偏移零点）

在没有外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，在输出端空载测得的霍尔电势差称为不等位电势。

9、霍尔输出电压

在外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，在输出端空载测得的霍尔电势差称为霍尔输出电压。

10、霍尔电压输出比率

霍尔不等位电势与霍尔输出电势的比率。

11、霍尔寄生直流电势

在外加磁场为零、霍尔元件用交流激励时，霍尔电极输出除了交流不等位电势外，还有一直流电势，称寄生直流电势。

12、霍尔不等位电势

在没有外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，环境温度每变化1℃时，不等位电势的相对变化率。

13、霍尔电势温度系数

在外加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，环境温度每变化1℃时，不等位电势的相对变化率。它同时也是霍尔系数的温度系数。

14、热阻Rth

霍尔元件工作时功耗每增加1W，霍尔元件升高的温度值称为它的热阻，它反映了元件散热的难易程度。

霍尔元件可用多种半导体材料制作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构**阱材料等等。

半导体中电子迁移率（电子定向运动的平均速度）比空穴迁移率高，因此N型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件霍尔元件。

常用的半导体材料N型硅、N型锗、锑化铟、砷化铟和不同比例亚砷酸铟和磷酸铟组成的In型固溶体等。

其中N型锗容易加工，其霍尔常数、温度性能、输出线性都较好，应用非常普遍锑化铟元件由于在高温时霍尔常数大，所以输出较大，但对温度较敏感，尤其在低温范围内温度系数大；砷化铟的霍尔常数较小，温度系数也较小，输出线性好；砷化镓的温度特性和输出线性好，是较理想的材料，但价格较贵。不同材料适用于不同场合，锑化铟适用于作为敏感元件，锗和砷化铟霍尔元件适用于测量指示仪表。

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霍尔元件应用霍尔效应的半导体。所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈较强的霍尔效应。 利用霍尔效应可以设计制成多种传感器。霍尔电位差UH的基本关系为： 式中 RH――霍尔系数；n――单位体积内载流子或自由电子的个数；q――电子电量；I――通过的电流；B――垂直于I的磁感应强度；d――导体的厚度。 对于半导体和铁磁金属，霍尔系数表达式和式（2）不同。 由于通电导线周围存在磁场，其大小和导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬时值P可由 确定。 华芯霍尔元件好不好?一试您就知道!华芯霍尔元件欢迎试样!免费选样,用事实说话,用数据证明.茂名HX6659霍尔开关

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霍尔元件在手电筒中的应用：

手电筒霍尔元件的设计提供了内部控制时钟机制，通过定期扫描提供给霍尔器件和模拟信号处理电路。电路的一部分用于“睡眠”模式下的高电流消耗。周期性地唤醒内部电路以根据霍尔元件的通量确定预定阈值。磁通中的密度低于或**BOP/BRP阈值，则驱动输出晶体管的相应状态将改变，在睡眠周期期间，输出晶体管被锁定在先前状态。手电筒霍尔元件它较大地延长了电池的使用寿命，以满足客户对低功耗系统的要求。一般使用全较微功耗的霍尔元件，如：如HX6383，HX6382,HX6363,HX6373等全较微功耗霍尔开关。 茂名HX6659霍尔开关

无锡华芯晟科技有限公司成立于2003年，是一家专业从事霍尔元件研发、生产、测试、销售为一体的的大型综合型企业。公司主要生产先进的霍尔效应集成传感器产品，与中国科学院电子研究所、苏州纳米研究所等**研究机构及企业建立了战略合作关系，具有较强的新产品、新技术开发能力。

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